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HYB39S512800AT-7.5

产品描述512-Mbit Synchronous DRAM
产品类别存储    存储   
文件大小524KB,共28页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39S512800AT-7.5概述

512-Mbit Synchronous DRAM

HYB39S512800AT-7.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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D a t a S h e e t , R e v. 1 . 3 , M ar c h 2 00 3
H Y B 39 S 5 1 2 4 0 0 A T ( L )
H Y B 39 S 5 1 2 8 0 0 A T ( L )
H Y B 39 S 5 1 2 1 6 0 A T ( L )
512- Mbi t Synchr onous DRAM
SDRAM
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