HYE18M1G160BF-6概述

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM

HYE18M1G160BF-6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X10,32
针数	60
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	11 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	64MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X10,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.07 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8,16
最大待机电流	0.0012 A
最大压摆率	0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.5 mm

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March 2007

HYB18M1G16[0/1]BF–6

HYE18M1G16[0/1]BF–6

HYB18M1G16[0/1]BF–7.5

HYE18M1G16[0/1]BF–7.5

DRAMs for Mobile Applications

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM

RoHS compliant

D ata Sh eet

Rev.1.0

HYE18M1G160BF-6相似产品对比

	HYE18M1G160BF-6	HYB18M1G16	HYE18M1G16	HYE18M1G161BF-7.5	HYE18M1G160BF-7.5	HYE18M1G161BF-6
描述	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
是否Rohs认证	符合	-	-	符合	符合	符合
厂商名称	QIMONDA	-	-	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	DSBGA	-	-	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X10,32	-	-	TFBGA, BGA60,9X10,32	TFBGA, BGA60,9X10,32	TFBGA, BGA60,9X10,32
针数	60	-	-	60	60	60
Reach Compliance Code	unknow	-	-	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	-	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns	-	-	6.5 ns	6.5 ns	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	-	-	133 MHz	133 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16	-	-	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	-	-	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	11 mm	-	-	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	1073741824 bi	-	-	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	-	-	16	16	16
湿度敏感等级	3	-	-	3	3	3
功能数量	1	-	-	1	1	1
端口数量	1	-	-	1	1	1
端子数量	60	-	-	60	60	60
字数	67108864 words	-	-	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	-	-	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-	-	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	64MX16	-	-	64MX16	64MX16	64MX16
输出特性	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	-	-	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X10,32	-	-	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	-	260	260	260
电源	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	-	8192	8192	8192
座面最大高度	1.07 mm	-	-	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm
自我刷新	YES	-	-	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8,16	-	-	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
最大待机电流	0.0012 A	-	-	0.0012 A	0.0012 A	0.0012 A
最大压摆率	0.37 mA	-	-	0.27 mA	0.27 mA	0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	-	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	-	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	-	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	-	-	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	-	-	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	-	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	-	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	-	40	40	40
宽度	10.5 mm	-	-	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm

HYE18M1G160BF-6

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