128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ISSI(芯成半导体) |
包装说明 | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 8.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 90 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved