128K x 8 Ultra Low Power and Low VCC SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ISSI(芯成半导体) |
| 包装说明 | 6 X 8 MM, TFBGA-32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA36,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00003 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 |
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