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IC62LV12816LL-70TI

产品描述128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小141KB,共10页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IC62LV12816LL-70TI概述

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IC62LV12816LL-70TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
包装说明0.400 INCH, TSOP2-44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
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