IDT6116LA120TDB,IDT6116LA120TDB pdf中文资料,IDT6116LA120TDB引脚图,IDT6116LA120TDB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT6116LA120TDB: 产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP24; 产品类别存储; 文件大小111KB，共11页; 制造商IDT(艾迪悌); 官网地址http://www.idt.com/

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IDT6116LA120TDB概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP24

2K × 8 标准存储器, 120 ns, CDIP24

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	24
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
额定供电电压	5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
最大供电/工作电压	5.5 V
加工封装描述	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
each_compli	Yes
状态	Active
sub_category	SRAMs
ccess_time_max	120 ns
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-GDIP-T24
jesd_609_code	e0
存储密度	16384 bi
内存IC类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
端口数	1
位数	2048 words
位数	2K
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
输出使能	YES
包装材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
ckage_code	DIP
ckage_equivalence_code	DIP24,.3
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	IN-LINE
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	225
wer_supplies__v_	5
qualification_status	COMMERCIAL
screening_level	MIL-STD-883 Class B
seated_height_max	5.08 mm
standby_current_max	2.00E-4 Am
standby_voltage_mi	2 V
最大供电电压	0.0850 Am
表面贴装	NO
工艺	CMOS
温度等级	MILITARY
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子间距	2.54 mm
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	20
length	32 mm
width	7.62 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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