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IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

产品描述SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
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文件大小603KB,共16页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS66WV51216EBLL-70TLI-TR在线购买

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IS66WV51216EBLL-70TLI-TR概述

SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM
RoHSDetails
Memory Size8 Mbit
Organization512 k x 16
Access Time70 ns
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.5 V
Supply Current - Max28 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-44
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Memory TypeSDR
类型
Type
Asynchronous
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR相似产品对比

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR IS66WV51216EBLL-55BLI-TR IS66WV51216EBLL-70BLI-TR IS66WV51216EBLL-55TLI
描述 SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM SRAM SRAM SRAM
RoHS Details Details Details Details
系列
Packaging
Reel Reel Reel -
Moisture Sensitive Yes Yes Yes Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000 2500 2500 135

 
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