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7038L20PFI8: 产品描述SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM; 产品类别存储存储; 文件大小673KB，共18页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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7038L20PFI8概述

SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM

7038L20PFI8规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TQFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100
制造商包装代码	PN100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.003 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

7038L20PFI8相似产品对比

	7038L20PFI8	7038L15PF8	7038L15PF	7038L20PF8
描述	SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM	SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM	SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM	SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100	100	100	100
制造商包装代码	PN100	PN100	PN100	PN100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns	15 ns	15 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	100	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

7038L20PFI8

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