Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS7C31026B-12JCN

AS7C31026B-12JCN: 产品描述SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共11页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS7C31026B-12JCN概述

SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM

AS7C31026B-12JCN规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J44
JESD-609代码	e3/e6
长度	28.575 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
座面最大高度	3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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AS7C31026B

Revision History

AS7C31026B

Revision

Rev 1.0

Rev

1.1

Rev

2.0

Details

Initial Issue

10ns

TSOP II

not offered due to poor yields

industrial temp

TSOP II

not offered due to poor yields -

refer to 'C' die option for TSOP

II. We

can still offer in SOJ

industrial temp.

Date

March.

2004

April

2007

August

2009

Please note modified from the original Alliance Semiconductor datasheet by Alliance Memory

Alliance Memory Inc. 511 Taylor Way, San Carlos, CA 94070 TEL: (650) 610-6800 FAX: (650) 620-9211

Alliance Memory Inc. reserves the right to change products or specification without notice

Confidential

1/11

Rev.2.0 Aug.2009

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	AS7C31026B-12JCN	AS7C31026B-10JCN	AS7C31026B-12JIN	AS7C31026B-15JCNTR	CMF120641.7OHMS0.5%25PPMTAPE	AS7C31026B-20JCNTR	CRV12068.87KOHMS0.5%50PPMTAPE	AS7C31026B-20JCN	AS7C31026B-20TCNTR
描述	SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 10ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 41.7ohm, 300V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 1202,	SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 8870ohm, 1000V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 1206,	SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
端子数量	44	44	44	44	2	44	2	44	44
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMT	SMALL OUTLINE	SMT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	THIN FILM	CMOS	THIN FILM	CMOS	CMOS
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅	不含铅
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ	-	SOJ	TSOP2
包装说明	SOJ,	SOJ,	SOJ,	SOJ,	-	SOJ,	-	SOJ,	TSOP2,
针数	44	44	44	44	-	44	-	44	44
最长访问时间	12 ns	10 ns	12 ns	15 ns	-	20 ns	-	20 ns	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	-	R-PDSO-J44	-	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e3/e6	-	-	-	e3/e6	e3/e6
长度	28.575 mm	28.575 mm	28.575 mm	28.575 mm	-	28.575 mm	-	28.575 mm	18.415 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	-	1048576 bit	-	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	-	16	-	16	16
功能数量	1	1	1	1	-	1	-	1	1
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	-	65536 words	-	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	-	64000	-	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	-	64KX16	-	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ	-	SOJ	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	245	245	-	NOT SPECIFIED	-	245	260
座面最大高度	3.7592 mm	3.7592 mm	3.7592 mm	3.7592 mm	-	3.7592 mm	-	3.7592 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	-	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	-	YES	YES
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	-	-	-	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	-	J BEND	-	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	-	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	-	NOT SPECIFIED	-	40	40
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	-	1	-	1	1
厂商名称	-	Alliance Memory	-	Alliance Memory	-	Alliance Memory	-	Alliance Memory	Alliance Memory

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