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RN1304TE85LF

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased X34 Pb-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=250MHz
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小455KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1304TE85LF概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased X34 Pb-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=250MHz

RN1304TE85LF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHSDetails
ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
Typical Input Resistor47 kOhms
Typical Resistor Ratio1
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SC-70
DC Collector/Base Gain hfe Min80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Continuous Collector Current100 mA
Peak DC Collector Current100 mA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 mW
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Reel
DC Current Gain hFE Max80
高度
Height
0.9 mm
长度
Length
2 mm
宽度
Width
1.25 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000988 oz

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RN1301~RN1306
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1301,RN1302,RN1303
RN1304,RN1305,RN1306
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2301 to RN2306
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1301
RN1302
RN1303
RN1304
RN1305
RN1306
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
USM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 6 mg (typ.)
SC-70
2-2E1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1301 to 1306
RN1301 to 1306
RN1301 to 1304
RN1305, 1306
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2010-04-06
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