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24AA014-I/MS: 产品描述EEPROM 256x8 - 1.8V; 产品类别存储存储; 文件大小787KB，共37页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

24AA014-I/MS概述

EEPROM 256x8 - 1.8V

24AA014-I/MS规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
零件包装代码	MSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP8,.19
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
Factory Lead Time	18 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	3 mm
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.19
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

用户手册

24AA014-I/MS相似产品对比

	24AA014-I/MS	24AA014T-I-SN	24LC014-I-MC	24LC014T-I-MS	24AA014T-I/MNY	24AA014T-I/MS	24LC014T-I/MNY
描述	EEPROM 256x8 - 1.8V	EEPROM 256x8 - 1.8V	EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND	EEPROM 256x8 - 2.5V	EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.8V IND	EEPROM 256x8 - 1.8V	电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND
是否无铅	不含铅	-	-	-	不含铅	不含铅	不含铅
零件包装代码	MSOP	-	-	-	DFN	MSOP	DFN
包装说明	TSSOP, TSSOP8,.19	-	-	-	2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8	2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
针数	8	-	-	-	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	-	-	-	compliant	unknown	compliant
Factory Lead Time	18 weeks	-	-	-	16 weeks	18 weeks	16 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz	-	-	-	0.1 MHz	0.1 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	200	-	-	-	200	200	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	-	-	-	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR	-	-	-	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	S-PDSO-G8	-	-	-	R-PDSO-N8	S-PDSO-G8	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3	-	-	-	e4	e3	e4
长度	3 mm	-	-	-	3 mm	3 mm	3 mm
内存密度	1024 bit	-	-	-	1024 bit	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM	-	-	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	-	-	-	8	8	8
湿度敏感等级	1	-	-	-	1	1	1
功能数量	1	-	-	-	1	1	1
端子数量	8	-	-	-	8	8	8
字数	128 words	-	-	-	128 words	128 words	128 words
字数代码	128	-	-	-	128	128	128
工作模式	SYNCHRONOUS	-	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	-	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128X8	-	-	-	128X8	128X8	128X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	-	-	-	VSON	TSSOP	VSON
封装等效代码	TSSOP8,.19	-	-	-	SOLCC8,.11,20	TSSOP8,.19	SOLCC8,.11,20
封装形状	SQUARE	-	-	-	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	-	-	-	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	-	-	-	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	-	-	260	260	260
电源	2/5 V	-	-	-	2/5 V	2/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	-	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm	-	-	-	0.8 mm	1.1 mm	0.8 mm
串行总线类型	I2C	-	-	-	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.000001 A	-	-	-	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A
最大压摆率	0.003 mA	-	-	-	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	-	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	-	-	1.8 V	1.8 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	-	-	2.5 V	2.5 V	3 V
表面贴装	YES	-	-	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	-	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	-	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	-	-	-	NICKEL PALLADIUM GOLD	Matte Tin (Sn)	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	GULL WING	-	-	-	NO LEAD	GULL WING	NO LEAD
端子节距	0.65 mm	-	-	-	0.5 mm	0.65 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	-	-	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	-	-	40	40	40
宽度	3 mm	-	-	-	2 mm	3 mm	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	-	-	-	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	HARDWARE	-	-	-	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE
Base Number Matches	1	-	-	-	1	1	1

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