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BD809

产品描述Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BD809概述

Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN

BD809规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码221A-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)90 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1.5 MHz
STM8中TIM2,3,4同时开启定时,第一次中断时间不准
void TIM2_INIT(void){TIM2_PSCR = 2;/*2分频得到1MHZ的定时器时钟,定时器加1就是1us*/TIM2_ARRH = 0x27; /*50ms中断一次*/TIM2_ARRL = 0x10;TIM2_IER = 0x01; /*更新中断使能*/TIM2_CR1 = 0x81; /*使能计数器*/}void TIM3_INIT(void){TIM3_PSCR = 1...
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