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SI4412DY-T1-GE3

产品描述MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4412DY-T1-GE3在线购买

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SI4412DY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V

SI4412DY-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

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Si4412DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.028 at V
GS
= 10 V
0.042 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
± 7.0
± 5.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
TrenchFET
®
Power MOSFET
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
D
S
S
S
G
1
2
3
4
Top
View
S
Ordering Information:
Si4412DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4412DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
± 20
± 7.0
± 5.8
± 30
2.3
2.5
1.6
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Symbol
R
thJA
Limit
50
Unit
°C/W
Document Number: 70154
S09-0705-Rev. D, 27-Apr-09
www.vishay.com
1

SI4412DY-T1-GE3相似产品对比

SI4412DY-T1-GE3 SI4412DY
描述 MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V MOSFET 30V 7A 2.5W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏源导通电阻 0.028 Ω 0.042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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