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SI5443DC-T1-GE3

产品描述MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI5443DC-T1-GE3在线购买

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SI5443DC-T1-GE3概述

MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V

SI5443DC-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.6 A
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON

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Si5443DC
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 20
R
DS(on)
(Ω)
0.065 at V
GS
= - 4.5 V
0.074 at V
GS
= - 3.6 V
0.110 at V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
± 4.9
± 4.6
± 3.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
TrenchFET
®
Power MOSFETs: 2.5 V Rated
1206-8 ChipFET
®
S
1
D
D
D
D
S
D
D
G
Marking Code
G
BB XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Bottom View
D
Ordering Information:
Si5443DC-T1-E3 (Lead-(Pb)-free)
Si5443DC-T1-GE3 (Lead-(Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
P
D
T
J
, T
stg
- 2.1
2.5
1.3
- 55 to 150
260
± 4.9
± 3.5
± 15
- 1.1
1.3
0.7
W
°C
5s
- 20
± 12
± 3.6
± 2.6
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
40
80
15
Maximum
50
95
20
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71064
S09-0129-Rev. D, 02-Feb-09
www.vishay.com
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