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CMLDM8002AJ TR

产品描述MOSFET Dual P-Ch Enh Mode 20Vgs 50Vds 350mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小989KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLDM8002AJ TR概述

MOSFET Dual P-Ch Enh Mode 20Vgs 50Vds 350mW

CMLDM8002AJ TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-563
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000106 oz

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CMLDM8002A
CMLDM8002AG*
CMLDM8002AJ
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFETS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
dual chip P-Channel enhancement-mode MOSFETs,
manufactured by the P-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. The CMLDM8002A utilizes the USA
pinout configuration, while the CMLDM8002AJ, utilizing
the Japanese pinout configuration, is available as a
special order. These special dual dransistor devices
offer low rDS(on) and low VDS(on).
MARKING CODES: CMLDM8002A:
C08
CMLDM8002AG*: CG8
CMLDM8002AJ: CJ8
FEATURES:
Dual Chip Device
Low rDS(on)
Low VDS(on)
Low Threshold Voltage
50
50
20
280
280
1.5
1.5
350
300
150
-65 to +150
357
• Fast Switching
• Logic Level Compatible
• Small SOT-563 package
SOT-563 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IGSSF, IGSSR
VGS=20V, VDS=0
100
IDSS
VDS=50V, VGS=0
1.0
IDSS
VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C
500
ID(ON)
VGS=10V, VDS=10V
500
BVDSS
VGS=0, ID=10μA
50
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=115mA
1.0
2.5
1.5
0.15
1.3
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R7 (8-June 2015)
MSP430FR6972编译出错,提示Error[e16]: Segment DATA20_ID (size: 0x19e align: 0x1)
感觉应该不是内存溢出,只要我把先列程序第三行注释掉就没问题,那怕是再定义个1K的数组 求大神搭救? _EINT(); while(cy_index != 0){;} //while(cy_index != 1119){;} _DINT() ; ......
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