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BLF6G10L-200BRN,11

产品描述RF MOSFET Transistors BLF6G10L-200BRN/ACC-6L/REEL13/
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小161KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BLF6G10L-200BRN,11概述

RF MOSFET Transistors BLF6G10L-200BRN/ACC-6L/REEL13/

BLF6G10L-200BRN,11规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current49 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage65 V
技术
Technology
Si
Gain20 dB
Output Power40 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-502A
ConfigurationSingle
Operating Frequency0.7 GHz to 1 GHz
类型
Type
RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage+/- 13 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2 V

BLF6G10L-200BRN,11相似产品对比

BLF6G10L-200BRN,11 BLF6G10L-200BRN11 934063283112
描述 RF MOSFET Transistors BLF6G10L-200BRN/ACC-6L/REEL13/ RF MOSFET Transistors BLF6G10L-200BRN/ACC-6L/TUBE-BU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Product Attribute Attribute Value Attribute Value -
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) -
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors RF MOSFET Transistors -
Transistor Polarity N-Channel N-Channel -
Id - Continuous Drain Current 49 A 49 A -
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 65 V 65 V -
技术
Technology
Si Si -
Gain 20 dB 20 dB -
Output Power 40 W 40 W -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C -
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT -
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-502A SOT-502A -
Configuration Single Single -
Operating Frequency 0.7 GHz to 1 GHz 0.7 GHz to 1 GHz -
类型
Type
RF Power MOSFET RF Power MOSFET -
Vgs - Gate-Source Voltage +/- 13 V +/- 13 V -
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V 2 V -

 
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