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IKB06N60T

产品描述IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小651KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IKB06N60T概述

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

IKB06N60T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值5.7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)88 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)249 ns
标称接通时间 (ton)17 ns

IKB06N60T相似产品对比

IKB06N60T IKB06N60TATMA1
描述 IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数 4 4
Reach Compliance Code compliant not_compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G3 R-PSSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 249 ns 249 ns
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