IDT70T653MS10BC,IDT70T653MS10BC pdf中文资料,IDT70T653MS10BC引脚图,IDT70T653MS10BC电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70T653MS10BC: 产品描述512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256; 产品类别存储; 文件大小310KB，共24页; 制造商IDT(艾迪悌); 官网地址http://www.idt.com/

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IDT70T653MS10BC概述

512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256

IDT70T653MS10BC规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	256
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	2.6 V
最小供电/工作电压	2.4 V
额定供电电压	2.5 V
最大存取时间	10 ns
加工封装描述	BGA-256
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	SQUARE
包装尺寸	GRID ARRAY, LOW PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	BALL
端子间距	1 mm
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	BOTTOM
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	36
组织	512K X 36
存储密度	1.89E7 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	524288 words
位数	512K
内存IC类型	DUAL-PORT SRAM
串行并行	PARALLEL

IDT70T653MS10BC相似产品对比

	IDT70T653MS10BC	IDT70T653M	IDT70T653MS10BCI	IDT70T653MS12BC	IDT70T653MS12BCI	IDT70T653MS15BC	IDT70T653MS15BCI
描述	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256	512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	256	256	256	256	256	256	256
最大工作温度	70 Cel	70 Cel	70 Cel	70 Cel	85 Cel	70 Cel	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel	0.0 Cel	0.0 Cel	0.0 Cel	-40 Cel	0.0 Cel	0.0 Cel
最大供电/工作电压	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
最小供电/工作电压	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
额定供电电压	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大存取时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	12 ns	10 ns	10 ns
加工封装描述	BGA-256	BGA-256	BGA-256	BGA-256	BGA-256	BGA-256	BGA-256
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
包装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
包装尺寸	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子间距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子涂层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36
组织	512K X 36	512K X 36	512K X 36	512K X 36	512K X 36	512K X 36	512K X 36
存储密度	1.89E7 deg	1.89E7 deg	1.89E7 deg	1.89E7 deg	1.89E7 deg	1.89E7 deg	1.89E7 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
内存IC类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
串行并行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
位数	512K	512K	512K	512K	512K	512K	512K

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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