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MCH6431-TL-H

产品描述MOSFET SWITCHING DEVICE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小388KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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MCH6431-TL-H概述

MOSFET SWITCHING DEVICE

MCH6431-TL-H规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-363-6
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current5 A
Rds On - Drain-Source Resistance55 mOhms
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000265 oz

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MCH6431
Power MOSFET
30V, 55mΩ, 5A, Single N-Channel
Features
Low On-Resistance
4V Drive
ESD Diode-Protected Gate
Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance
VDSS
30V
www.onsemi.com
RDS(on) Max
55mΩ@ 10V
91mΩ@ 4.5V
109mΩ@ 4V
ID Max
5A
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25°C
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
PW≤10μs, duty cycle≤1%
Power Dissipation
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
2
×
0.8mm)
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
150
−55
to +150
°C
°C
PD
1.5
W
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
Value
30
±20
5
20
Unit
V
V
A
A
Electrical Connection
N-Channel
1, 2, 5, 6
3
4
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
Packing Type : TL
Marking
LOT No.
LOT No.
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Junction to Ambient
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
2
×
0.8mm)
R
θJA
83.3
°C/W
Symbol
Value
Unit
TL
ZF
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,
damage may occur and reliability may be affected.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
March 2015 - Rev. 3
1
Publication Order Number :
MCH6431/D
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