电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

7133LA20JG

产品描述SRAM 32K(2KX16)CMOS DUAL PORT
产品类别存储    存储   
文件大小305KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

7133LA20JG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
7133LA20JG - - 点击查看 点击购买

7133LA20JG概述

SRAM 32K(2KX16)CMOS DUAL PORT

7133LA20JG规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PLCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
制造商包装代码PLG68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionPLCC
最长访问时间20 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
长度24.2062 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度24.2062 mm

文档预览

下载PDF文档
HIGH SPEED
2K X 16 DUAL-PORT
SRAM
Features
IDT7133SA/LA
IDT7143SA/LA
High-speed access
– Military: 35/55/70/90ns (max.)
– Industrial: 25/55ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/45/55/70/90ns (max.)
Low-power operation
– IDT7133/43SA
Active: 1150mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7133/43LA
Active: 1050mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Versatile control for write: separate write control for lower
and upper byte of each port
MASTER IDT7133 easily expands data bus width to 32 bits
or more using SLAVE IDT7143
On-chip port arbitration logic (IDT7133 only)
BUSY
output flag on IDT7133;
BUSY
input on IDT7143
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention
TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply
Available in 68-pin ceramic PGA, Flatpack, PLCC and 100-
pin TQFP
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/W
LUB
CE
L
R/W
RUB
CE
R
R/W
LLB
OE
L
R/W
RLB
OE
R
I/O
8L
- I/O
15L
I/O
0L
- I/O
7L
BUSY
L
(1)
A
10L
A
0L
ADDRESS
DECODER
11
I/O
CONTROL
I/O
CONTROL
I/O
8R
- I/O
15R
I/O
0R
- I/O
7R
BUSY
R
(1)
MEMORY
ARRAY
ADDRESS
DECODER
11
A
10R
A
0R
CE
L
ARBITRATION
LOGIC
(IDT7133 ONLY)
CE
R
2746 drw 01
NOTE:
1. IDT7133 (MASTER):
BUSY
is open drain output and requires pull-up resistor.
IDT7143 (SLAVE):
BUSY
is input.
JANUARY 2012
1
©2013 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 2746/14
大家赶快开博吧
从今天开始,如果时间允许,我想每天都写一篇博客,所以从今开始我要开博了,希望大家多多光顾我的博客!~ 其实早就想开博了,但是由于种种原因没有开,现在实习了,想把工作和学习的一些事 ......
wanghongyang 工作这点儿事
LED半导体照明应用中存在的问题
1、散热 2、缺乏标准,产品良莠不齐 3、存在价格与设计品质问题,最终消费者选择LED照明,缺乏信心 4、半导体照明在电气设计方面与传统照明有很大差别,传统灯具企业需要经验/技能积累过程 ......
qwqwqw2088 LED专区
PWM输出的端口问题 大神求解!!
PWM输出的口怎么确定 为什么 设置P1SEL就可以了 把P1SEL 寄存器对应的口设为1,代表使用外部模块,但是外部模块有这么多。。 单片机是怎么识别的把他用作PWM输出的呢...
jiantaozzr 微控制器 MCU
ST的传感器们——全模塑封装气压传感器
{:1_102:}以下内容为ST一线工程师的原创,小伙伴们速来围观,欢迎提问&讨论。 在意法半导体丰富的MEMS传感器产品线中,排在市场排名第一的消费类运动传感器之后的下一个明星产品就是气压传 ......
nmg MEMS传感器
请教关于非门并联然后串联问题
请教大家,如图. 1 非门并联,然后两对并联的串联起来,请问可以实现什么作用呢? 我只知道单独并联两个非门可以提供固定电流(常温单个4069貌似8.8mA,并联17.6mA). 2 后面二极管反向并联,是用来 ......
flycatbbb 模拟电子
嵌入式开发精品书籍推荐(十二)---嵌入式c编程语言入门与深入
嵌入式开发精品书籍推荐(十二)---嵌入式c编程语言入门与深入 随着电子技术的的飞速发展,对于电子工程师来说,如今的电子设计已经很少有只用硬件电路就能实现的项目了,尤其是现今 ......
tiankai001 下载中心专版

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2358  208  1869  725  2861  29  42  46  22  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved