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STB11NM60FDT4

产品描述MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小466KB,共17页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STB11NM60FDT4概述

MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

STB11NM60FDT4规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
雪崩能效等级(Eas)350 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.45 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

STB11NM60FDT4相似产品对比

STB11NM60FDT4 STP11NM60FD
描述 MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 350 mJ 350 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A 11 A
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.45 Ω 0.45 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 245 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 160 W 160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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