EEPROM 4K-Bit I2C Serial
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | MSOP-8 |
Reach Compliance Code | unknown |
Factory Lead Time | 1 week |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDMR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 3 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 4096 words |
字数代码 | 4000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4KX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.1 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
CAT24C04ZI-G | CAT24C01ZI-G | CAT24C16ZI-G | |
---|---|---|---|
描述 | EEPROM 4K-Bit I2C Serial | EEPROM 1K-Bit I2C Serial | EEPROM 16K-Bit I2C Serial |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | MSOP-8 | MSOP-8 | MSOP-8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 | 100 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDMR | 1010DDDR | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
长度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
内存密度 | 4096 bit | 1024 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 4096 words | 1024 words | 16384 words |
字数代码 | 4000 | 1000 | 16000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 4KX1 | 1KX1 | 16KX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | TSSOP | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.19 | TSSOP8,.19 | TSSOP8,.19 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
电源 | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.1 mm | 1.1 mm | 1.1 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.002 mA | 0.002 mA | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
Factory Lead Time | 1 week | 1 week | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved