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SI4825DY-T1-GE3

产品描述MOSFET 30V 11.5A 3.0W 1.4mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4825DY-T1-GE3在线购买

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SI4825DY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 11.5A 3.0W 1.4mohm @ 10V

SI4825DY-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)8.1 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si4825DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 30
R
DS(on)
(Ω)
0.014 at V
GS
= - 10 V
0.022 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 11.5
- 9.2
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 100 % R
g
Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4825DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4825DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 2.5
3.0
1.9
- 55 to 150
- 11.5
- 9.2
- 50
- 1.3
1.5
0.9
W
°C
10 s
- 30
± 25
- 8.1
- 6.5
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
32
68
15
Maximum
42
85
18
°C/W
Unit
Document Number: 71291
S09-0868-Rev. D, 18-May-09
www.vishay.com
1

SI4825DY-T1-GE3相似产品对比

SI4825DY-T1-GE3 SI4825DY-T1-E3 SI4825DY-E3
描述 MOSFET 30V 11.5A 3.0W 1.4mohm @ 10V MOSFET 30V 11.5A 3W MOSFET 30V 11.5A 3W
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SOP-8 ,
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (ID) 8.1 A 8.1 A 8.1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世)
最小漏源击穿电压 30 V 30 V -
最大漏源导通电阻 0.014 Ω 0.014 Ω -
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 -
端子数量 8 8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
Base Number Matches 1 1 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 8.1 A 8.1 A
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) - 3 W 3 W
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