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KSC2331YBU: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil; 产品类别半导体分立半导体; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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KSC2331YBU概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

KSC2331YBU规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.2 V
Maximum DC Collector Current	0.7 A
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Current Gain hFE Max	240
高度 Height	8 mm
长度 Length	4.9 mm
系列 Packaging	Bulk
宽度 Width	3.9 mm
Continuous Collector Current	0.7 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	40
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	500
单位重量 Unit Weight	0.008466 oz

KSC2331YBU相似产品对比

	KSC2331YBU	KSC2331YTA	KSC2331YSHTA	KSC2331OTA	KSC2331OBU
描述	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	TRANS NPN 60V 0.7A TO-92L	TRANS NPN 60V 0.7A TO-92L	TRANS NPN 60V 0.7A TO-92L
晶体管类型	-	-	NPN	NPN	NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	-	-	700mA	700mA	700mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	-	-	60V	60V	60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	-	-	700mV @ 50mA，500mA	700mV @ 50mA，500mA	700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）	-	-	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-	-	120 @ 50mA，2V	70 @ 50mA，2V	70 @ 50mA，2V
功率 - 最大值	-	-	1W	1W	1W
频率 - 跃迁	-	-	50MHz	50MHz	50MHz
工作温度	-	-	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）
安装类型	-	-	通孔	通孔	通孔
封装/外壳	-	-	TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）	TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）	TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装	-	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3

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