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IS61QDPB41M36A1-400B4LI

产品描述SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1
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文件大小656KB,共33页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS61QDPB41M36A1-400B4LI在线购买

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IS61QDPB41M36A1-400B4LI概述

SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1

IS61QDPB41M36A1-400B4LI规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM
RoHSDetails
Memory Size36 Mbit
Organization1 M x 36
Access Time2.5 ns
Maximum Clock Frequency400 MHz
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.89 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.71 V
Supply Current - Max620 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
FBGA-165
Memory TypeQDR
类型
Type
Synchronous
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
144

IS61QDPB41M36A1-400B4LI相似产品对比

IS61QDPB41M36A1-400B4LI IS61QDPB41M36A-450M3I
描述 SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1 SRAM 36M, 1.8V, 450Mhz QUAD Sync SRAM
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM SRAM
Memory Size 36 Mbit 36 Mbit
Organization 1 M x 36 1 M x 36
Access Time 2.5 ns 8.4 ns
Maximum Clock Frequency 400 MHz 450 MHz
接口类型
Interface Type
Parallel Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.89 V 1.89 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.71 V 1.71 V
Supply Current - Max 620 mA 1100 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
FBGA-165 FBGA-165
Memory Type QDR QDR
类型
Type
Synchronous Synchronous
Moisture Sensitive Yes Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
144 105

 
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