Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS7C1025B-12JCNTR

AS7C1025B-12JCNTR: 产品描述SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小239KB，共9页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS7C1025B-12JCNTR概述

SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM

AS7C1025B-12JCNTR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e3/e6
长度	20.955 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
座面最大高度	3.7084 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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March 2004

AS7C1025B

5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)

Features

• Industrial and commercial temperatures

• Organization: 131,072 x 8 bits

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5/6/7/8 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 605mW / max @ 10 ns

• Low power consumption: STANDBY

- 55 mW / max CMOS

• 6 T 0.18 u CMOS technology

• Easy memory expansion with CE, OE inputs

• Center power and ground

• TTL/LVTTL-compatible, three-state I/O

• JEDEC-standard packages

- 32-pin, 300 mil SOJ

- 32-pin, 400 mil SOJ

• ESD protection

≥

2000 volts

• Latch-up current

≥

200 mA

Pin arrangement

Logic block diagram

32-pin SOJ (300 mil)

32-pin SOJ (400 mil)

GND

Input buffer

I/O7

I/O0

I/O1

GND

I/O2

I/O3

A16

A15

A14

A13

I/O7

I/O6

GND

I/O5

I/O4

A12

A11

A10

Row decoder

512 x 256 x 8

Array

(1,048,576)

Sense amp

I/O0

Column decoder

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

Control

circuit

Selection guide

-10

Maximum address access time

Maximum output enable access time

Maximum operating current

Maximum CMOS standby current

110

-12

100

-15

-20

Unit

3/26/04, v. 1.3

AS7C1025B

Alliance Memory Inc.

P. 1 of 9

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描述	SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 10ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM Fast Asynch 5V Cen Pw 128Kx8 12ns 1Mb	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	SOJ,	SOJ, SOJ32,.44	SOJ,	-	SOJ, SOJ32,.34	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.34
针数	32	32	32	32	-	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	-	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	12 ns	12 ns	15 ns	10 ns	-	15 ns	15 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	-	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
长度	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	-	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	-	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	-	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	-	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	-	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	-	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	-	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	245	245	-	245	245	245
座面最大高度	3.7084 mm	3.683 mm	3.7084 mm	3.683 mm	-	3.683 mm	3.7084 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	-	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	-	40	40	40
宽度	10.16 mm	7.62 mm	10.16 mm	7.62 mm	-	7.62 mm	10.16 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-	1

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