SRAM Low Power Dual-Port RAM IC
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81 |
针数 | 81 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 40 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B81 |
JESD-609代码 | e1 |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 81 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA81,9X9,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.000006 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
70P264L40BYGI8 | 70P244L55BYGI8 | 70P244L40BYGI | |
---|---|---|---|
描述 | SRAM Low Power Dual-Port RAM IC | SRAM Low Power Dual-Port RAM IC | SRAM Low Power Dual-Port RAM IC |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | CABGA |
包装说明 | 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81 | 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81 | BGA, BGA81,9X9,20 |
针数 | 81 | 81 | 81 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 40 ns | 55 ns | 40 ns |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B81 | S-PBGA-B81 | S-PBGA-B81 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 |
内存密度 | 262144 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 81 | 81 | 81 |
字数 | 16384 words | 4096 words | 4096 words |
字数代码 | 16000 | 4000 | 4000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 16KX16 | 4KX16 | 4KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
端口数量 | 2 | - | 2 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
封装等效代码 | BGA81,9X9,20 | - | BGA81,9X9,20 |
电源 | 1.8 V | - | 1.8 V |
最大待机电流 | 0.000006 A | - | 0.000006 A |
最大压摆率 | 0.04 mA | - | 0.04 mA |
端子节距 | 0.5 mm | - | 0.5 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved