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CZTA44HC TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN High Current High Voltage
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小421KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZTA44HC TR概述

Bipolar Transistors - BJT NPN High Current High Voltage

CZTA44HC TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Collector- Base Voltage VCBO450 V
Emitter- Base Voltage VEBO7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.5 V
Maximum DC Collector Current3 A
Gain Bandwidth Product fT10 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Continuous Collector Current2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min35
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
2 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz

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CZTA44HC
SURFACE MOUNT SILICON
HIGH CURRENT
HIGH VOLTAGE
NPN TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA44HC is a
surface mount epoxy molded silicon planar epitaxial
transistor designed for extremely high voltage and high
current applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
450
400
7.0
2.0
3.0
2.0
65 to +150
62.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=400V
IEBO
VBE=5.0V
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
IC=50µA
IC=1.0mA
IE=50µA
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=2.0A, IB=200mA
IC=1.0A, IB=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=500mA
VCE=10V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=2.0A
VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
450
400
7.0
MAX
500
500
UNITS
nA
nA
V
V
V
0.25
0.50
1.5
1.5
35
35
30
15
10
30
1000
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R5 (22-August 2017)

 
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