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MCH6336-TL-E

产品描述MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小557KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MCH6336-TL-E概述

MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES

MCH6336-TL-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明,
针数6
制造商包装代码419AS
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionNULL
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)

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MCH6336
Power MOSFET
–12V, 43mΩ, –5A, Single P-Channel
Features
Low On-Resistance
1.8V Drive
High Speed Switching
ESD Diode-Protected Gate
Pb-Free and RoHS Compliance
Halogen Free Compliance : MCH6336-TL-H, MCH6336-TL-W
VDSS
−12V
www.onsemi.com
RDS(on) Max
43mΩ@
−4.5V
66mΩ@
−2.5V
98mΩ@
−1.8V
ID Max
−5A
Electrical Connection
P-Channel
1, 2, 5, 6
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25°C
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
PW≤10μs, duty cycle≤1%
Power Dissipation
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
×
0.8mm)
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
150
−55
to +150
°C
°C
2
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
Value
−12
±10
−5
−20
Unit
V
V
A
A
3
4
PD
1.5
W
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
Packing Type : TL
Marking
LOT No.
LOT No.
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Junction to Ambient
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
×
0.8mm)
2
YK
Symbol
R
θJA
Value
83.3
Unit
°C/W
TL
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,
damage may occur and reliability may be affected.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
March 2015 - Rev. 2
1
Publication Order Number :
MCH6336/D

 
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