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1N457A_Q

产品描述Rectifiers High Conductance Low Leakage
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小177KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N457A_Q概述

Rectifiers High Conductance Low Leakage

1N457A_Q规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Rectifiers
RoHSN
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
DO-35
Vr - Reverse Voltage70 V
If - Forward Current200 mA
类型
Type
Standard Recovery Rectifiers
ConfigurationSingle
Vf - Forward Voltage1 V
Max Surge Current4 A
Ir - Reverse Current0.025 uA at 60 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Bulk
高度
Height
1.91 mm
长度
Length
4.56 mm
产品
Product
Rectifiers
宽度
Width
1.91 mm
单位重量
Unit Weight
0.004833 oz

1N457A_Q相似产品对比

1N457A_Q 1N457A 1N457ATR
描述 Rectifiers High Conductance Low Leakage Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
Brand Name - ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 - 不含铅 不含铅
包装说明 - GLASS PACKAGE-2 O-LALF-W2
制造商包装代码 - 017AG 017AG
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
Is Samacsys - N N
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V
JEDEC-95代码 - DO-35 DO-35
JESD-30 代码 - O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 - e3 e3
最大非重复峰值正向电流 - 1.5 A 1.5 A
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 200 °C 200 °C
最大输出电流 - 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 - GLASS GLASS
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 - 0.5 W 0.5 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 70 V 70 V
表面贴装 - NO NO
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 - WIRE WIRE
端子位置 - AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1

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