DG2026DQ-T1-E3,DG2026DQ-T1-E3 pdf中文资料,DG2026DQ-T1-E3引脚图,DG2026DQ-T1-E3电路-Datasheet-电子工程世界

DG2026DQ-T1-E3: 产品描述Analog Switch ICs Low Volt Dual SPDT; 产品类别模拟混合信号IC 信号电路; 文件大小132KB，共8页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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Analog Switch ICs Low Volt Dual SPDT

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	TSSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP10,.19,20
针数	10
Reach Compliance Code	unknown
模拟集成电路 - 其他类型	SPDT
JESD-30 代码	S-PDSO-G10
JESD-609代码	e3
长度	3 mm
湿度敏感等级	1
信道数量	1
功能数量	2
端子数量	10
标称断态隔离度	78 dB
最大通态电阻 (Ron)	4.8 Ω
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP10,.19,20
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
最长断开时间	38 ns
最长接通时间	59 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3 mm

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