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CMPD1001 BK

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Single High Current 90Vr 250If 600Ifrm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小588KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPD1001 BK概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Single High Current 90Vr 250If 600Ifrm

CMPD1001 BK规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Diodes - General Purpose, Power, Switching
RoHSDetails
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23
系列
Packaging
Bulk
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3500

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CMPD1001
CMPD1001A
CMPD1001S
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
SILICON SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD1001 series
types are silicon switching diodes manufactured by
the epitaxial planar process, designed for applications
requiring high current capability.
SOT-23 CASE
The following configurations are available:
CMPD1001
CMPD1001A
CMPD1001S
SINGLE
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, IN SERIES
MARKING CODE: L20
MARKING CODE: L22
MARKING CODE: L21
SYMBOL
VR
IF
IFRM
IRRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
90
250
600
600
6.0
1.0
350
-65 to +150
357
UNITS
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Repetitive Reverse Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
CT
trr
VR=90V
VR=90V, TA=150°C
IR=100μA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
IF=200mA
IF=400mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=30mA, Rec. to 3.0mA, RL=100Ω
MAX
100
100
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
V
V
pF
ns
90
0.75
0.84
0.90
1.00
1.25
35
50
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