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IRFHM792TRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.195ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小275KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFHM792TRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.195ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

IRFHM792TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8006010147
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time52 weeks
Samacsys ManufacturerInfineon
Samacsys Modified On2022-03-31 16:09:23
YTEOL.5
雪崩能效等级(Eas)10.2 mJ
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.4 A
最大漏极电流 (ID)2.3 A
最大漏源导通电阻0.195 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)10.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
I/O并行口直接驱动LED显示
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