IGBT Transistors N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 29 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 31.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 3100 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 1160 ns |
| STGP10NB60SD | STGF10NB60SD | |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT Transistors N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH | IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 10 Amp |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 8 weeks | 8 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 29 A | 23 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 31.5 W | 25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 3100 ns | 3100 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 1160 ns | 1160 ns |
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