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STD14NM50N

产品描述MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共16页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STD14NM50N概述

MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STD14NM50N规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
Samacsys DescriptionNULL
雪崩能效等级(Eas)18 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.32 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

STD14NM50N相似产品对比

STD14NM50N STD14NM50NAG
描述 MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 DPAK-3/2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks
雪崩能效等级(Eas) 18 mJ 172 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 12 A
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.32 Ω 0.32 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 90 W 90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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