Operational Amplifiers - Op Amps
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | CHOPPER-STAB |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 标称共模抑制比 | 140 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 9.375 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 标称均一增益带宽 | 500 kHz |
| 最小电压增益 | 1000000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MAX430CPA | MAX432CPA | |
|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifiers - Op Amps | Operational Amplifiers - Op Amps |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0001 µA |
| 标称共模抑制比 | 140 dB | 140 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 5 µV | 5 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 9.375 mm | 9.375 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | YES | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 245 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm | 4.572 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.125 V/us |
| 最大压摆率 | 3.5 mA | 1 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 500 kHz | 125 kHz |
| 最小电压增益 | 1000000 | 1000000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
