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SUM120N04-1M7L-GE3

产品描述MOSFET N-Channel 40V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小176KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SUM120N04-1M7L-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SUM120N04-1M7L-GE3概述

MOSFET N-Channel 40V

SUM120N04-1M7L-GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)423 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.0017 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)480 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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