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ARS50B

产品描述Rectifiers 50A,100V,High Crnt SILASTIC Rect
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小372KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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ARS50B概述

Rectifiers 50A,100V,High Crnt SILASTIC Rect

ARS50B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PEDB-N2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-PEDB-N2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子面层PURE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置END

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ARS50A thru ARS50M
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Diffused junction
- Low leakage
- High surge capability
- Low cost construction utilizing void-free molded plastic technique
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
High Current Button Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
ARS
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
1.68 g (approximately)
ARS
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
de
ARS
50B
100
70
100
ARS
50D
200
200
140
ARS
50G
400
400
50
600
1.1
5
250
3
300
1
- 50 to +175
- 50 to +175
280
ARS
50J
600
420
600
d
en
50A
50
35
50
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
ARS
ARS
50K
800
560
800
ARS
50M
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
μs
pF
O
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 50 A
Maximum reverse current @ Rated VR T
J
=25
o
C
Typical reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Storage temperature range
tR
e co
T
J
=125
o
C
trr
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
mm
C/W
O
O
Operating junction temperature range
C
C
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Time Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1409007
No
Version: D14

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ARS50B ARS50A ARS50D
描述 Rectifiers 50A,100V,High Crnt SILASTIC Rect Rectifiers 50A,50V,High Crnt SILASTIC Rect Rectifiers 50A,200V,High Crnt SILASTIC Rect
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 500 A 500 A 500 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 50 V 200 V
最大反向恢复时间 3 µs 3 µs 3 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 PURE TIN PURE TIN PURE TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END
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