PT7M8206
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LDO Regulator
Features
Output Current: 300mA or more
Dropout Voltage: 270mV @ 300mA for 3.3V
Operating Voltage Range: 1.8V to 5.5V
Output Voltage Range: 1.2V to 3.3V (100mV Step)
Low Power Consumption: 65A
Standby Current: 0.1A
High Ripple Rejection: 75dB @ 1kHz
Output Current-Limit Protection
Thermal Shutdown Protection
Auto Output Discharge
Operating Temperature Range: -40°C to +85°C
Low ESR Capacitor Compatible: Ceramic Capacitor
Lead Free Package: SOT23-5L, SC70-5L, SOT89-
5L
Description
The PT7M8206 series are highly accurate, low dropout
voltage regulators with low noise, high ripple rejection
and low current consumption.
The PT7M8206 includes a reference voltage source, an
error amplifier, a driver transistor, a current limit
protection, a thermal protection and an internal phase
compensator.
The output voltage for the regulator is set by factory
trimming within a range of 1.2V to 3.3V in 100mV step
includes 2.85V. The PT7M8206 series are stable with
low ESR ceramic capacitors.
Pin Configuration
VIN
1
2
3
4
NC
5
VOUT
Applications
GND
EN
Mobile phones (PDC, GSM, CDMA, IMT2000 etc.)
Cordless phones and radio communication
Digital still cameras and video cameras
PDAs
MP3 players
Portable devices
SC70-5L/SOT23-5L (Top View)
EN
GND
NC
1
2
3
SOT89-5L
5
VOUT
4
VIN
Pin Description
Pin No.
SOT23-
SOT89-5L
5L/SC70-5L
1
2
3
4
5
4
2
1
3
5
I/O
I
P
I
-
O
Name
VIN
GND
EN
NC
VOUT
Descriptions
Regulator Supply Input. Supply voltage can range from 1.8V to 5.5V. Bypass
with a 1F ceramic capacitor (X5R/X7R) to GND.
Ground.
ON/OFF Control of Regulator.
No Connection.
Output of Regulator. Bypass with a 1F ceramic capacitor (X5R/X7R) to GND.
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07/10/12
PT7M8206
LDO Regulator
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Maximum Ratings
Storage Temperature………………………………….. -55℃ to +125℃
Ambient Temperature with Power Applied......................-40℃ to +85℃
Input Voltage………………………………………….……..……+6.0V
Output Voltage …………………………………….....-0.3 to V
CC
+0.3V
EN pin Voltage…………………………………………………… +6.0V
DC Input/Output Current …………………………………………700mA
Power Dissipation………………………………………...SOT23/400mW
SC70/300mW
SOT89/550mW
TDFN/600mW
Note:
Stresses greater than those listed under MAXIMUM
RATINGS may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sec-
tions of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
Recommended Operating Conditions
Symbol
V
CC
T
A
Parameter
Operating Voltage
Operating temperature
Min.
1.8
-40
Typ.
-
25
Max.
5.5
85
Unit
V
°
C
Electrical Characteristics
(T
A
=25℃, Bypass capacitor=22nF)
Parameter
Output Voltage
Maximum Output
Current
Dropout Voltage
Supply Current
Standby Current
Line Regulation
Load Regulation
Input Voltage
Output Voltage
Temperature
Characteristic
Ripple Rejection
Current Limit
Thermal Shutdown
Thermal Shutdown
Hysteresis
EN”High”Voltage
EN”Low”Voltage
EN”High”Current
EN”Low” Current
Output Discharge
Resistance
Note:
Symbol
V
OUT(E) *2
I
OUTMAX
Vdif
*3
I
SS
I
SB
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
*V
OUT
ΔV
OUT2
V
IN
ΔV
OUT
/
ΔTopr*V
OUT
PSRR
I
LIM
T
SD
ΔT
SD
V
ENH
V
ENL
I
ENH
I
ENL
Rdis
Conditions
V
IN
=V
OUT(S) *1
+1.0V, I
OUT
=30mA
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
1.7V≤V
OUT(S)
≤1.8V
1.9V≤V
OUT(S)
≤2.3V
I
OUT
= 300mA
2.4V≤V
OUT(S)
≤2.7V
2.8V≤V
OUT(S)
≤3.3V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, no load
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
V
OUT(S)
+1.0V≤V
IN
≤5.5V
I
OUT
=30 mA
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V,
1.0mA≤I
OUT
≤300mA
-
I
OUT
=30 mA
-40℃≤Topr≤85℃
V
IN
=[V
OUT(S)
+1.0]V
DC
+1Vp-p AC
V
OUT
=1.5V, I
OUT
=30mA, f=1kHz
V
OUT
= V
OUT(S)
*0.9
Min.
V
OUT(S)
*0.98
300
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
400
Typ.
V
OUT(S)
-
0.39
0.33
0.30
0.27
Max.
V
OUT(S)
*1.02
-
0.51
0.43
0.39
0.35
100
1
0.2
0.6
Unit
V
mA
V
µA
A
%/V
%
V
ppm/℃
dB
mA
℃
65
0.1
0.05
-
+/-100
75
450
170
40
5.5
-
-
600
-
-
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, EN=OFF
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
1.5
-
-0.10
-0.10
-
-
-
-
-
200
-
0.3
0.10
0.10
-
V
µA
Ω
*1: V
OUT(S)
=Specified output voltage.
*2: V
OUT(E)
=Effective output voltage.
(I.e. the output voltage when "V
OUT(S)
+1.0V" is provided at the VIN pin while maintaining a certain I
OUT
value).
*3: Vdif={V
IN1(*5)
-V
OUT1(*4)
}.
*4: V
OUT1
=A voltage equal to 98% of the output voltage whenever an amply stabilized I
OUT
{V
OUT(S)
+ 1.0V} is input.
*5: V
IN1
=The input voltage when V
OUT1
appears as input voltage is gradually decreased.
*6: Unless otherwise stated, V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
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PT7M8206
LDO Regulator
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Typical Performance and Characteristics
1.
Output Voltage vs. Output Current
PT7M8206 (1.2V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
3.0
2.5
Vin=4.5V
1.0
2.0
Vin=5.5V
1.5
1.0
0.5
0.0
0
100
200
300
Io (mA)
400
500
600
0.0
0
100
200
300
400
500
600
700
Io (mA)
PT7M8206 (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
Vo (V)
Vin=2.5V
0.5
Vin=3.5V
Vin=5.5V
2.
Output Voltage vs. Input Voltage
PT7M8206 (1.2V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.6
4.0
Vo (V)
Vo (V)
0mA
PT7M8206 (3.3V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.2
3.0
Vo (V)
0.8
30mA
100mA
2.0
0mA
30mA
0.4
1.0
100mA
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
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07/10/12
PT7M8206
LDO Regulator
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3.
Supply Current vs. Input Voltage
PT7M8206 (1.2V)
PT7M8206 (3.3V)
100
80
Iss (μA)
Iss (μA)
100
80
60
40
20
0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
60
40
20
0
4.Dropout Voltage vs. Output Current
PT7M8206 (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
350
300
250
Vdif (mV)
5. Line Transient Response
PT7M8206 (3.3V)
Cin=Cout=1µF(Ceramics), Iout=100mA
Time (50µs/Div)
85℃
25℃
-40℃
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
Io (mA)
250
300
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07/10/12
PT7M8206
LDO Regulator
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6. Output Voltage vs. Ambient Temperature
PT7M8206 (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.40
1.32
Vin=2.2V
3.40
PT7M8206 (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
3.30
Vo (V)
Vo(V)
1.24
1.16
1.08
1.00
-50
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
3.20
Vin=4.3V
3.10
3.00
-50
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
7. Supply Current vs. Ambient Temperature
PT7M8206 (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
75
80
PT7M8206 (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
70
75
Iss (μA)
Iss (μA)
65
Vin=2.2V
60
70
Vin=4.3V
65
55
-50
60
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
-50
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
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PT0359-2
07/10/12
Microchip MCU
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