Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 45 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| ZTX550STOB | CPW2014K00FB31 | ZTX551STOA | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | RESISTOR, WIRE WOUND, 20 W, 1 %, 30 ppm, 14000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIIAL LEADED | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-W3 | Axial, | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | unknown |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated | - | Diodes Incorporated |
| 零件包装代码 | TO-92 | - | TO-92 |
| 针数 | 3 | - | 3 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e0 | - |
| 端子数量 | 3 | 2 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR PACKAGE | - |
| 封装形式 | IN-LINE | Axial | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier | - |
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