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SSM3K119TU(TE85L)

产品描述MOSFET Vds=30V Id=2.5A 3Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小153KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SSM3K119TU(TE85L)概述

MOSFET Vds=30V Id=2.5A 3Pin

SSM3K119TU(TE85L)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown

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SSM3K119TU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K119TU
Power Management Switch Applications
High Speed Switching Applications
1.8 V drive
Low ON-resistance:
Unit: mm
R
on
= 134 mΩ (max) (@V
GS
= 1.8V)
R
on
= 90 mΩ (max) (@V
GS
= 2.5V)
R
on
= 74 mΩ (max) (@V
GS
= 4.0V)
2.0±0.1
2.1±0.1
1.7±0.1
0.65±0.05
+0.1
0.3 -0.05
3
0.166±0.05
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Drain–source voltage
Gate–source voltage
Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (Note 1)
P
D (Note 2)
T
ch
T
stg
Rating
30
±
12
2.5
5.0
800
500
150
−55
to 150
Unit
V
V
1
2
mW
°C
°C
0.7±0.05
A
Note:
Note 1:
Note 2:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/
voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Mounted on a ceramic board.
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8 t, Cu Pad: 645 mm )
Mounted on an FR4 board.
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t, Cu Pad: 645 mm )
1: Gate
2: Source
3: Drain
UFM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2U1A
Weight: 6.6 mg (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Drain–source breakdown voltage
Drain cutoff current
Gate leakage current
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Symbol
V
(BR) DSS
V
(BR) DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
⏐Y
fs
Test Condition
I
D
=
1 mA, V
GS
=
0
I
D
=
1 mA, V
GS
=
–12 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±
12 V, V
DS
=
0
V
DS
=
3 V, I
D
=
1 mA
V
DS
=
3 V, I
D
=
2 A
I
D
=
2.0 A, V
GS
=
4.0 V
Drain–source ON-resistance
R
DS (ON)
I
D
=
1.0 A, V
GS
=
2.5 V
I
D
=
0.5 A, V
GS
=
1.8 V
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Switching time
Turn-on time
Turn-off time
C
iss
C
oss
C
rss
t
on
t
off
V
DSF
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
V
DD
=
10 V, I
D
=
2 A,
V
GS
=
0 to 2.5 V, R
G
=
4.7
Ω
I
D
= −
2.5 A, V
GS
=
0 V
(Note3)
(Note3)
(Note3)
(Note3)
(Note3)
Min
30
18
0.4
3.8
Typ.
7.7
55
67
84
270
56
47
20
31
– 0.85
Max
1
±1
1.0
74
90
134
– 1.2
pF
pF
pF
ns
V
Unit
V
V
μA
μA
V
S
Drain–source forward voltage
Note3: Pulse test
Start of commercial production
2006-03
1
2014-03-01
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