CY7C1475BV25-133BGXI,CY7C1475BV25-133BGXI pdf中文资料,CY7C1475BV25-133BGXI引脚图,CY7C1475BV25-133BGXI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1475BV25-133BGXI: 产品描述SRAM 72MB (1Mx72) 2.5v 133MHz FLO-THRU SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共22页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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CY7C1475BV25-133BGXI概述

SRAM 72MB (1Mx72) 2.5v 133MHz FLO-THRU SRAM

CY7C1475BV25-133BGXI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40
针数	209
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	6.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	72
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	209
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA209,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.96 mm
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

CY7C1475BV25-133BGXI相似产品对比

	CY7C1475BV25-133BGXI	CY7C1471BV25-133AXCT
描述	SRAM 72MB (1Mx72) 2.5v 133MHz FLO-THRU SRAM	SRAM 2Mx 36, 2.5V NoBL FT SRAM
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
Reach Compliance Code	compliant	unknown
最长访问时间	6.5 ns	6.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e1	e3
长度	22 mm	20 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	72	36
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	209	100
字数	1048576 words	2097152 words
字数代码	1000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C
组织	1MX72	2MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP
封装等效代码	BGA209,11X19,40	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.96 mm	1.6 mm
最小待机电流	2.38 V	2.38 V
最大压摆率	0.305 mA	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn)
端子形式	BALL	GULL WING
端子节距	1 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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