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NESG3033M14-A

产品描述RF Bipolar Transistors NPN Germanium Amp
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小194KB,共7页
制造商CEL
官网地址http://www.cel.com/
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NESG3033M14-A在线购买

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NESG3033M14-A概述

RF Bipolar Transistors NPN Germanium Amp

NESG3033M14-A规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
CEL
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHSDetails
Transistor TypeBipolar
技术
Technology
SiGe
Transistor PolarityNPN
Continuous Collector Current35 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
Collector- Base Voltage VCBO5 V
DC Current Gain hFE Max220 at 6 mA at 2 V
Operating Frequency110000 MHz
类型
Type
RF Silicon Germanium
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
150 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1

NESG3033M14-A相似产品对比

NESG3033M14-A NESG3033M14-T3-A
描述 RF Bipolar Transistors NPN Germanium Amp RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
CEL CEL
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistors
RoHS Details Details
Transistor Type Bipolar Bipolar
技术
Technology
SiGe SiGe
Transistor Polarity NPN NPN
Continuous Collector Current 35 mA 0.035 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C - 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Configuration Single Single
Collector- Base Voltage VCBO 5 V 5 V
DC Current Gain hFE Max 220 at 6 mA at 2 V 220 at 6 mA at 2 V
Operating Frequency 110000 MHz 110000 MHz
类型
Type
RF Silicon Germanium RF Silicon Germanium
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
150 mW 150 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1 10000

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