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BSP299H6327XUSA1

产品描述MOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小502KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSP299H6327XUSA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BSP299H6327XUSA1概述

MOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3

BSP299H6327XUSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.6 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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