MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TO-262AA |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 300 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 14 A |
最大漏极电流 (ID) | 14 A |
最大漏源导通电阻 | 0.299 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
STI15NM60N | STF15NM60ND | STB15NM60ND | |
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描述 | MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A | MOSFET N-Ch, 600V-0.27ohms FDMesh 14A | MOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | TO-262AA | TO-220AB | D2PAK |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 |
针数 | 3 | 3 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 300 mJ | 300 mJ | 300 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 14 A | 14 A | 14 A |
最大漏极电流 (ID) | 14 A | 14 A | 14 A |
最大漏源导通电阻 | 0.299 Ω | 0.299 Ω | 0.299 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-220AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 | NOT SPECIFIED | 245 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 30 W | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A | 56 A | 56 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | YES |
端子面层 | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Brand Name | - | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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