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SSM3J36FS(T5L,F,T)

产品描述MOSFET Small-Signal MOSFETs Single
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小198KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM3J36FS(T5L,F,T)概述

MOSFET Small-Signal MOSFETs Single

SSM3J36FS(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-416-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Id - Continuous Drain Current- 330 mA
Rds On - Drain-Source Resistance1.31 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
150 mW
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
高度
Height
0.7 mm
长度
Length
1.6 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 P-Channel
宽度
Width
0.8 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000212 oz

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SSM3J36FS
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J36FS
Power Management Switches
1.5-V drive
Low ON-resistance: R
on
= 3.60
Ω
(max) (@V
GS
= -1.5 V)
: R
on
= 2.70
Ω
(max) (@V
GS
= -1.8 V)
: R
on
= 1.60
Ω
(max) (@V
GS
= -2.8 V)
: R
on
= 1.31
Ω
(max) (@V
GS
= -4.5 V)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
stg
Rating
-20
±8
-330
-660
150
150
−55
to 150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/
“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.
reliability test report and estimated failure rate, etc).
Note1: Mounted on an FR4 board
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6mm, Cu Pad: 0.36 mm
×3)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2H1B
Weight: 2.4 mg (typ.)
Marking
3
Equivalent Circuit
(top view)
3
PX
1
2
1
2
Handling Precaution
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), ensure that the environment is
protected against static electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come
into direct contact with devices should be made of anti-static materials.
Usage Considerations
Let V
th
be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I
D
) to below
−1
mA for the
SSM3J36FS). Then, for normal switching operation, V
GS(on)
must be higher than V
th,
and V
GS(off)
must be lower than
V
th.
This relationship can be expressed as: V
GS(off)
< V
th
< V
GS(on).
Take this into consideration when using the device.
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