NAND Flash 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | TSOP1 |
| 包装说明 | TSOP1, TSSOP48,.8,20 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.1 |
| Samacsys Description | NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 2K |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 2K words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 128K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| TC58NVG1S3ETA00 | TC58NVG1S3ETAI0 | TC58NVG1S3EBAI5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NAND Flash 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM | NAND Flash 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM | NAND Flash 2Gb 3.3V SLC NAND Flash EEPROM |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | TSOP1 | TSOP | BGA |
| 包装说明 | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | VFBGA, BGA63,10X12,32 |
| 针数 | 48 | 48 | 63 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.1 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.B.1 |
| 最长访问时间 | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| 命令用户界面 | YES | YES | YES |
| 数据轮询 | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 | R-PDSO-G48 | R-PBGA-B63 |
| 长度 | 18.4 mm | 18.4 mm | 13 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | FLASH | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 部门数/规模 | 2K | 2K | 2K |
| 端子数量 | 48 | 48 | 63 |
| 字数 | 268435456 words | 268435456 words | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 | 256000000 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 256MX8 | 256MX8 | 256MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | TSSOP | VFBGA |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 | TSSOP48,.8,20 | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小 | 2K words | 2K words | 2K words |
| 并行/串行 | PARALLEL | SERIAL | SERIAL |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3.3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1 mm |
| 部门规模 | 128K | 128K | 128K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM |
| 切换位 | NO | NO | NO |
| 类型 | NAND TYPE | - | NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm | - | 10 mm |
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