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SI6966DQ-T1

产品描述MOSFET 20V 4.5A 1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI6966DQ-T1概述

MOSFET 20V 4.5A 1W

SI6966DQ-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.14 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Si6966DQ
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
R
DS(on)
(Ω)
0.030 at V
GS
= 4.5 V
0.040 at V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.5
3.9
FEATURES
Halogen-free Option Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 2.5 V Rated
Pb-free
Available
RoHS*
COMPLIANT
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
S
1
Ordering Information:
Si6966DQ-T1
Si6966DQ-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
S
2
N-Channel MOSFET
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6966DQ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
1.25
1.14
0.73
- 55 to 150
4.5
3.6
30
0.75
0.83
0.53
W
°C
10 s
20
± 12
4.0
3.0
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71808
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
www.vishay.com
1
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
86
124
52
Maximum
110
150
65
°C/W
Unit

SI6966DQ-T1相似产品对比

SI6966DQ-T1 SI6966DQ-T1-E3
描述 MOSFET 20V 4.5A 1W MOSFET 20V 4.5A 1W
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
Base Number Matches 1 1

 
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