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SI1304DL-T1

产品描述MOSFET 25V 0.75A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI1304DL-T1在线购买

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SI1304DL-T1概述

MOSFET 25V 0.75A

SI1304DL-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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Si1304DL
Vishay Siliconix
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
25
r
DS(on)
(W)
0.350 @ V
GS
= 4.5 V
0.450 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
0.75
0.66
Q
g
(Typ)
1.3
13
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
G
1
Marking Code
YY
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Top View
Ordering Information: Si1304DL-T1
3
D
KB
XX
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
5 secs
25
Steady State
Unit
V
"8
0.75
0.60
3.0
0.28
0.33
0.21
−55
to 150
0.24
0.29
0.19
0.70
0.56
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Document Number: 71315
S-41774—Rev. C, 04-Oct-04
www.vishay.com
t
v
5 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
315
380
285
Maximum
375
450
340
Unit
_C/W
C/W
1
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