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71V3576S133PFGI8: 产品描述SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X; 产品类别存储存储; 文件大小179KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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71V3576S133PFGI8概述

SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

71V3576S133PFGI8规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TQFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
制造商包装代码	PKG100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.035 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

71V3576S133PFGI8相似产品对比

	71V3576S133PFGI8	71V3578S133PFG8	71V3576S133PFG8	71V3578S150PFGI	71V3578S133PFGI8	71V3576S133PFGI	71V3578S133PFG
描述	SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X	SRAM 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM	SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X	SRAM 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM	SRAM 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM	SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X	SRAM 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	LQFP, QFP100,.63X.87	QFF, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	QFF, QFP100,.63X.87	QFF, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100	100	100	100
制造商包装代码	PKG100	PKG100	PKG100	PKG100	PKG100	PKG100	PKG100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	3.8 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	150 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-F100	R-PQFP-G100	R-PQFP-F100	R-PQFP-F100
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	18	36	18	18	36	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100
字数	131072 words	262144 words	131072 words	262144 words	262144 words	131072 words	262144 words
字数代码	128000	256000	128000	256000	256000	128000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
组织	128KX36	256KX18	128KX36	256KX18	256KX18	128KX36	256KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	QFF	LQFP	QFF	QFF
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.035 A	0.03 A	0.03 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.03 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.26 mA	0.25 mA	0.25 mA	0.305 mA	0.26 mA	0.26 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	FLAT	GULL WING	FLAT	FLAT
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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